星空体育足球预测网:南京邮电大学请求绝缘体上碳化硅P型掺杂调控及横向功率器材制备办法专利进步退火工艺容错率

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  国家知识产权局信息数据显现，南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司请求一项名为“绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器材制备办法”的专利，公开号CN121586399A，请求日期为2025年12月。

  专利摘要显现，本发明公开了绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器材制备办法，包含过程1、选取退火温度；过程2、将P型掺杂层的掺杂浓度顶层设为最高，底层设为最低；过程3、规划离子注入次数M；过程4、M个P型掺杂层浓度从下至上顺次增大；过程5、规划每层铝离子注入层的离子注入参数；其间，离子注入能量从下至上顺次下降；离子注入剂量从下至上顺次增大。本发明选用屡次离子注入，第一次注入高能量、小剂量，后续各次注入顺次下降能量、添加剂量，经退火后构成从下至上递加的P型掺杂浓度散布，以此来下降PN结角落处电场峰值，并下降触摸电阻，还使得SiCOI横向功率器材在坚持高耐压一起扩展退火温度规模，来提高退火工艺的容错率。

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